Etching : 우리가 원하는 대로 깎아내는 공정
CMP : 평평하게 갈아버리기
Photo Strip : 층 자체를 없애버리기
Ashing : O2 플라즈마로 층 자체를 살짝 없애버리기
에칭 공정은 원하는 부분만 없앤다는 점에서 다른 없애기 공정과 차이가 있습니다.
Etch bias : Wb-Wa (Photo dimension - Etch dimension)
Undercut : 밑으로 파고들어감
loading effect : 같은 시간 에칭해도 구멍이 작을수록 덜 깎인다.
mean free pass 때문
damage, surface morphology(roughness)
보통은 평평한 것이 좋음, SF6 gas로 없애줌
residue (식각 잔여물)
wet etch 살짝 진행해줌
Wet etch : 용액을 이용하여 식각, 필수적인 상황이나 dry 보조
Dry etch : Gas를 이용해 식각, main 공정
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