Wet etch vs Dry etch

 

	Wet etch	Dry Etch(RIE)
재료	용액(Etchant)을 Immersion, dipping, spray	Gas
	Etchant+Buffering agent+기타	Plasma의 Radical(chemical)+ Ion(physical)
Etch profile	Isotropic(등방성)	Anasotropic(비등방성), 조절가능
Selectivity	높음	적절함, 조절가능
Throughput	높음(batch type, lot 단위)	낮음(single wafer)
Damage	낮음	높음(burning, arcing)
cost	낮음	높음

bufffering agent : 반응 후 pH 급격한 벼녀화를 막아줌

 

 

 

 

 

 

Dry etching process (RIE=reactive Ion etching=Ion enhanced etch : E/R 급격히 올려줌)

1. 챔버에 가스 주입

2. 해리 되어 라디칼 형성

3. 표면에 이온 폭격(physical, anisotropic)

4. 흡착되어 표면에서 떨어짐

5. 라디칼과 반응됨(chemical, isotropic)

6. 기체화 되어서 빠져나감