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RCA Clean : Radio Corporation of America Clean RCA라는 회사에서 썼던 클리닝 방법입니다. 클리닝 공정 중 가장 대표적인 방법입니다. 이 방법으로 부터 다양한 클리닝 공정이 파생됩니다. 1. SPM (=Piranha(피라냐)) Sulfuric acid Peroxide Mixture(과산화물) H2SO4 + H2O2 1:1 ~ 4:1 140°c 10min 유기물 제거, 금속성 제거, 친수화 처리, 포토공정 현상, 남은 PR 제거 2. QDR Quick Dump Rinse UPW rinse (Ultrapure water) DI H2O (Deionized) 3. DHF Dilute HF HF + H2O 1:10 ~ 1:50 25°c 1min 화학 산화막 제거 4. QDR ..

[클리닝 공정이란?] 클리닝 공정은 세정 공정이라고 하기도 합니다. 공정 진행 중 오염된 wafer를 닦아내는 공정이 cleaning 공정입니다. 다음 공정이 잘 진행되도록 wafer를 깨긋이 하는 것이고 dangling bond에 다음 재료가 잘 붙게 해준다고도 할 수 있습니다. [클리닝 공정의 중요도] 반도체 공정 과정에서 다양한 오염들이 발생하게 됩니다. 오염층이 생길 수도 있고, 입자가 있을 수도 있고, gas들이 붙어 있을 수도 있습니다. 심지어 클리닝을 하는 과정에서 오염이 생기기도 합니다. 따라서 반도체 제조 공정에 30~40%를 차지할 만큼 비중이 높습니다. [wafer 오염의 종류] 오염의 종류는 따로 자세하게 다룰 예정입니다. 오염의 종류를 크게 세가지로 나눌 수 있습니다. 1. 입자 ..