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플라즈마는 형광등, 네온사인, 오로라 등에서도 볼 수 있지만 반도체 공정을 진행함에 있어 플라즈마는 굉장히 다양한 곳에 활용됩니다. 따라서 플라즈마에 대한 이해가 있어야겠죠? 플라즈마는 물질의 4의 상태라고 불리기도 합니다. 그동안 물질이 고체, 액체, 기체였다면 기체 상태에서 에너지, 열을 더욱 가해주어서 만든 상태가 플라즈마입니다. 즉, 높은 에너지에 의해 원자가 전자, 중성입자, 양이온으로 분리된 상태입니다. 또한 높은 에너지를 통해 만들었기 때문에 플라즈마는 고에너지 상태입니다. 실제로 원자 전자 중성자고 모두다 100% 완벽하게 분리되기는 힘듭니다. 전자와 양성자들이 미친듯이 움직이면서 서로 가까워지면 원자 상태인 것이고 멀어지면 플라즈마가 되는 것입니다. 또한, 가까우면 얼마나 가까운지에 따라..

FLASH 정의 Flash memory는 비휘발성 메모리로 SSD에 쓰입니다. 따라서 파워가 OFF되었을 때도 데이터를 저장할 수 있습니다. DRAM에서는 refresh 동작을 통해서 계속 데이터를 유지해주었어야 합니다. 하지만 Flash memory에서는 한번 저장하면 그 데이터가 계속 유지됩니다. 물론, 아주 오랜 기간(7년~) 동안 쓰지 않는다면 서서히 데이터가 손실됩니다. FLASH 구조 Gate와 channel 사이에 Tunneling Oxide(터널링이 되는 옥사이드 층)과 Floating gate(전자를 잡아두는 공간)이 있는 구조입니다. 기존의 게이트는 Control Gate라고 부릅니다. Floating gate는 Poly-Si로 만들지만 이 부분을 부도체인 SiN을 쓴다면 Charge ..

DRAM (Dynamic Random Access memory) Dynamic : 시간 지나면 사라진다.(휘발성) RAM : 원하는 위치에 접근할 수 있는 메모리 (행과 열이 있기 때문) DRAM = Memory cell(1NMOS + 1 Capacitor) + Controller Memory cell 데이터가 저장되는 곳 Controller 신호 처리 하는 곳 메모리셀 refresh 해주는 곳 (64ms 마다) Memory cell = 1 NMOS + 1 Capacitor NMOSFET : 스위치 역할, 전하 이동 통로 역할 Capacitor : 전하 저장되는 공간, 유지시키는 공간, NMOSFET 보다도 Capacitor 크기 감소가 주요함 Word Line Gate에 연결, 스위치 역할 Bit Li..

JFET(Juction Field Effect Transistor) 공정이 간단하다.

TFT (Thin-Film Transistor) 디스플레이 픽셀 제어

Passive device(수동소자) 소비, 축적, 방출하는 소자 증폭, 정류를 못하는 소자 (증폭=MOSFET, 정류=Diode) 에너지 원천이 없는 소자 한마디로 R, L, C Resistor 전력 소비 poly-Si의 도핑 농도를 조절하여 저항 형성 Resistance는 저항 Resistivity는 비저항 Capacitor 전하 저장 도체 - 부도체(유전체) - 도체 캐피시턴스 https://yoongsemi.tistory.com/entry/high-k-low-k Inductor 자기장 형성 꽈배기를 틀어버리기 때문에 in과 out은 다른 층에 형성 design 복잡함

Crystaline (정질) Poly-Crystaline 각 덩어리를 Grain이라고 한다. 이 구조에서 도핑 농도를 조절하여 반도체 내에서 저항을 형성한다. Amorphous (비정질)

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) MOS 구조를 활용한 FET 소자이다. Gate에 전압을 인가 → 채널형성 (즉, 스위치의 역할을 한다) Source/Drain에 전압을 인가 → 전계 형성 Source Drain Gate에 Bulk까지 4단자 소자라지만 굉장히 옛말이다. 현재는 구조가 바뀌었기 때문이다. (bulk가 왜 없어졌는지 왜 의미 없는지 작성 필요) bulk(body)는 일반적으로 source와 이어져 있다. 동작특성 VGS가 VT를 넘을 때 채널이 형성된다. VDS가 0V 보다 커지게 되면 전류가 흐르게 되면서 On 상태가 된다. 나머지 상황엔 다 Off 물론, 채널이 열린 상태로 drain에서 source로 흘려주어도 ..

Samsung V-NAND Technology

BJT (Bipolar Juction Transistor) 공정 순서 (NPN) P-sub에 n도핑하여 콜렉터 단자 형성하고 p도핑하여 베이스 형성하고 n도핑하여 이미터 형성한다.