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FLASH 정의 Flash memory는 비휘발성 메모리로 SSD에 쓰입니다. 따라서 파워가 OFF되었을 때도 데이터를 저장할 수 있습니다. DRAM에서는 refresh 동작을 통해서 계속 데이터를 유지해주었어야 합니다. 하지만 Flash memory에서는 한번 저장하면 그 데이터가 계속 유지됩니다. 물론, 아주 오랜 기간(7년~) 동안 쓰지 않는다면 서서히 데이터가 손실됩니다. FLASH 구조 Gate와 channel 사이에 Tunneling Oxide(터널링이 되는 옥사이드 층)과 Floating gate(전자를 잡아두는 공간)이 있는 구조입니다. 기존의 게이트는 Control Gate라고 부릅니다. Floating gate는 Poly-Si로 만들지만 이 부분을 부도체인 SiN을 쓴다면 Charge ..

DRAM (Dynamic Random Access memory) Dynamic : 시간 지나면 사라진다.(휘발성) RAM : 원하는 위치에 접근할 수 있는 메모리 (행과 열이 있기 때문) DRAM = Memory cell(1NMOS + 1 Capacitor) + Controller Memory cell 데이터가 저장되는 곳 Controller 신호 처리 하는 곳 메모리셀 refresh 해주는 곳 (64ms 마다) Memory cell = 1 NMOS + 1 Capacitor NMOSFET : 스위치 역할, 전하 이동 통로 역할 Capacitor : 전하 저장되는 공간, 유지시키는 공간, NMOSFET 보다도 Capacitor 크기 감소가 주요함 Word Line Gate에 연결, 스위치 역할 Bit Li..

JFET(Juction Field Effect Transistor) 공정이 간단하다.

TFT (Thin-Film Transistor) 디스플레이 픽셀 제어

Passive device(수동소자) 소비, 축적, 방출하는 소자 증폭, 정류를 못하는 소자 (증폭=MOSFET, 정류=Diode) 에너지 원천이 없는 소자 한마디로 R, L, C Resistor 전력 소비 poly-Si의 도핑 농도를 조절하여 저항 형성 Resistance는 저항 Resistivity는 비저항 Capacitor 전하 저장 도체 - 부도체(유전체) - 도체 캐피시턴스 https://yoongsemi.tistory.com/entry/high-k-low-k Inductor 자기장 형성 꽈배기를 틀어버리기 때문에 in과 out은 다른 층에 형성 design 복잡함

Samsung V-NAND Technology

Diode Diode, LED, OLED, LD, Solar cell, Photodiode MOS Transistor DRAM, SRAM, Flash memory, New memory MOS Capacitor CCD(Charge Coupled Device), CIS(CMOS Image Sensor) Module Module kit Circuit