Dry etching process(chemical)

오늘은 Dry etching process(chemical)에 대해서 알아보겠습니다.

dry etching은 물리적인 방법과 화학적인 방법을 동시에 사용하지만,

오늘 알아볼 것은 화학적인 방법만 사용하는 절차입니다.

 

일단 dry etching이니 용액이 아닌 Gas를 넣어서 식각을 진행합니다.

또한 화학적인 방법만 사용합니다.

 

1. Radical formation & Diffusion to surface

플라즈마를 형성하여 반응성이 높은 라디칼들을 만들어냅니다.

이 라디칼이 표면으로 확산됩니다.

반응성이 높은 라디칼을 만들기 위해 Halogen 원소(17족 원소)를 사용합니다.

이는 전자 친화도가 높고 전자친화도가 높을수록 전자를 잘 얻으며 반응성이 높다는 뜻이 됩니다.

예시로 F, Cl이 있습니다.

 

2. Adsorption

라디칼이 표면에 흡착됩니다.

 

3.Chemisorption, Reaction

라디칼과 표면 분자간의 화학적 반응이 일어납니다.

 

4. Desorption

흡착된 분자가 탈착됩니다.

이때 흡착된 분자의 상태가 쉽게 기체화 되는 것이 좋습니다.

고체면 흡착되어도 Desorption되지 않으니까요.

기체가 되어야 웨이퍼에서 날려보낼 수 있습니다.