Wet etch vs Dry etch

ehching 공정에는 Wet etch와 Dry etch로 크게 나눌 수 있습니다.

하지만, 이도 옛말인 것이 요새는 etch라고 하면 거의 dry etch입니다.

아주 특수한 경우에만 Wet etch를 사용하죠.

 

하지만, 이 둘을 비교함으로서 Wet etch에서 Dry etch로 어떻게 넘어갔는지 알 수 있기 때문에

둘을 비교하며 알아보도록 하겠습니다.

 

	Wet etch	Dry etch
식각 재료	식각 용액 (Etchant)	식각 Gas, Plasma의 Ion
반응 방법	화학 반응	물리적(Ion bombardment) + 화학적(Radical)
공정 방법	Wafer를 담그거나(Immersion=Dipping) 뿌려서(Spray) 진행합니다.	플라즈마를 형성하여 물리적식각(Physical)을 하며 화학적인(Chemical) 식각이 이루어집니다. 후에 자세히 다루겠습니다.
식각 모양	등방성 식각 (Isotropic) Si + 염기(KOH)를 이용하면 비등방성도 가능합니다.	비등방성 식각(Anisotropic) (조절 가능) 화학적 식각을 늘려주면 등방성이 늘어납니다.

 

 

 

 

 

비고

Etchant는 농도, 시간, 온도, 교반, 공정횟수를 고려해야 합니다.

 

주로 Immersion 보다 Spray를 이용하고 그 이유는 표면장력 때문입니다.(?)

 

용액 공정을 하는 장소를 Wet station = Wet bench라고 합니다.

이는 etching 뿐만 아니라 용액을 이용하는 공정에서 모두 사용하는 용어입니다.

 

다 쓴 Gas를 정화하는 장치를 Scrubber라고 합니다.