반도체 공정/DNI & Oxidation

doping 공정 비교 (확산 공정 vs Ion implantation)

yoong semi 2023. 2. 24. 11:42

도핑공정의 대표주자

Diffusion 공정과  Ion implantation을 비교해보겠습니다.

  Diffusion Ion implantation
도핑 방법 확산을 이용한 Two step process(Predeposition + Drive-in) Ion implantation + Annealing
장점 확산 방정식을 이용한 정확한 깊이 측정
Throughput 높음(Batch process)
Lateral diffusion 감소
Abrupt juncion 형성 가능
정확한 Profile 형성
저농도 doping 형성 가능(저항 형성)
저온 공정
단점 긴 drive-in 시간 필요
Lateral diffusion 큼
고온 공정
고체 용해도에 의해 제한 받음
damage 발생 - Annealing 필요
비싼 설비
Throughput 낮음(Single process)
위험한 설비

 

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