doping 공정은에는 확산 공정, Ion implantation, plasma doping이 있습니다.
doping은 원하는 불순물 profile을 만들어주는 것입니다.
가장 많은 소자인 mosfet에 필요한 도핑을 해주기도 하고
PN junction을 만들어주기도 하고
Threshold voltage를 조절하기도 하고
비저항을 조절하기도하고
Ohmic을 형성하기도 합니다.
5족인 donor를 넣어주면 n-type 반도체
3족인 accpetor를 넣어주면 p-type 반도체 입니다.
도핑 농도를 높여 Threshold voltage의 크기를 더욱 크게 할 수 있습니다.
도핑 농도를 높여서 비저항을 낮춰줄 수 있습니다.
도핑 농도에 따라서 원하는 profile을 만들 수 있습니다.
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