박막은 얇은 막입니다.
두터운 막은 후막이라고 합니다. 일부 절연층은 두텁게 쌓아야하겠죠?
1um가 넘냐 안넘냐로 박막과 후막을 이야기 하지만
어떤 곳은 5um를 기준으로 하기도 합니다.
이렇게 아주 얇은 막을 형성하는 공정을 박막공정이라고 합니다.
즉, 원하는 물질을 올려 우리가 원하는 전기적 특성을 가지게 하는 공정입니다.
전기가 잘 흐르는 유전체를 만들 수도 있고
전기가 잘 흐르지 않는 절연체를 만들 수도 있습니다.
일반적으로 박막 공정은 웨이퍼 전면에 도포해주는 공정입니다.
(포토 공정의 경우 한 다이마다 진행되죠)
따라서 향후 에칭이 들어간다던가 CMP가 들어가게 되면서 패턴을 형성해주어야 합니다.
박막 공정에는 형성 방법에 따라 크게 두가지로 분류됩니다.
물리적인 방법이냐 화학적인 방법이냐
요새는 LPCVD, ALD, Plating을 가장 많이 씁니다.
LPCVD는 박막 품질이 우수합니다.
ALD는 박막 품질이 매우 우수합니다.
Plating은 damascene공정에 활용된다.
간단한 요약을 써보자면
Sputtering은 타겟 물질을 부숴서 눈처럼 쌓이게 하는 방법입니다.
Evaporation은 타겟 물질을 가열하여 연기를 쌓이게 하는 방법입니다.
Spin-on은 Spin coating 해주듯이 쌓는 방법입니다.
셋 모두 물리적인 방법을 통해서 증착합니다.
CVD는 표면과 gas의 화학적인 방법을 통해 쌓는 방법입니다.
ALD는 원자층 한층 한층 쌓는 방법입니다.
Plating은 도금입니다.
셋 모두 화학적인 방법을 통해서 증착합니다.
위 공정 하나 하나는 다음 포스팅에서 자세히 알아보도록 하겠습니다.
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