Photolithography 개요

반도체 공정/Photolithography

yoong semi 2022. 10. 5. 10:38

메모리 30번, 비메모리 20번 정도 수행되는 공정

마스크의 사이즈가 커질 수록 포토 공정이 차지하는 비율을 늘어간다.

(다른 공정은 웨이퍼 전체에 한 번에 진행되는 반면, 포토는 다이 하나 하나 찍기 때문이다.)

Photolithography

Mask에 설계된 패턴을 웨이퍼에 구현하는 공정

포토의 3대 요소 : Mask, 빛, 감광제(PR)

Mask

pattern이 그려져 있는 판

고순도의 Quartz ( ≒ SiO2의 결정형태)

빛

특정 파장(단파장=높은 에너지) 이용 (여러 파장 동시에 쓰면 에너지야 높겠지만 컨트롤하기 어려워짐)

PR(Photoresist, 감광제)

빛에 반응하여 성질 바뀐다. 후에 develop하여 패턴 형성

ARC 후에 PR을 깔기도 한다.

yoong semi