Lithography methods

노광 방법	Contact	Proximity	Projection
wafer와 mask	붙음	살짝 떨어짐	사이에 렌즈 있음 마스크 통과한 빛을 5:1로 모은다.
비율	1:1	1:1	4:1 ~ 5:1
장점	Resolution 좋음 Throughput 좋음	Mask 수명 증가 Throughput 좋음	Resolution 좋음 Mask Error도 줄어듦
단점	Mask 오염 wafer 크기 만큼 큰 Mask 필요 (비쌈) Mask Error도 1:1 Uniformity 안좋음 (넓은 노광영역) 500nm, 1um 수준	Resolutioin 안좋음 (회절) 큰 Mask 필요 (비쌈) Mask Error도 1:1 PR 울퉁불퉁	Throughput 안좋음 (다이 하나씩) 광학계 비쌈 공정 Control 어려움
설비	Aligner	Aligner	Stepper, Scanner
비고	Vacuum, Hard, Soft 3가지로 나뉨	Lift-off에서는 오히려 좋아	나노에서는 결국 Projection

 

projection

 

 

 

 

노광 설비	Aligner	Stepper	Scanner
작동 방식	한방에 찍음	다이만 바꾸며 찍음	다이도 바꾸지만 마스크도 이동시킴 (렌즈의 가장 좋은 부분만을 사용)
비율	1:1	5:1	4:1
장점	쌈 Throughput 좋음	Uniformity 좋음 Mask Error도 줄어듦	Uniformity 매우 좋음 Mask Error도 줄어듦 150nm 이하
단점	Uniformity 나쁨 (웨이퍼의 가장자리와 가운데)	비쌈	너무 비쌈 Chip size 대형화 대비 가능

 

 

Contact	Soft	Hard	Vacuum
붙는 정도	붙긴 함	적당히 붙음	빈 공간 없음
붙이는 법	기계적으로 밀음	N2로도 밀음	사이 공간 진공으로 빨음
결과물	Proximity 보다는 나음	→	Resolution 가장 좋음 Fringe(진공 포장 무늬) 발생 (미미함)

500nm, 1um 수준에서 씀

 

Fringe