yoong semi

TFT (Thin-Film Transistor) 디스플레이 픽셀 제어

Passive device(수동소자) 소비, 축적, 방출하는 소자 증폭, 정류를 못하는 소자 (증폭=MOSFET, 정류=Diode) 에너지 원천이 없는 소자 한마디로 R, L, C Resistor 전력 소비 poly-Si의 도핑 농도를 조절하여 저항 형성 Resistance는 저항 Resistivity는 비저항 Capacitor 전하 저장 도체 - 부도체(유전체) - 도체 캐피시턴스 https://yoongsemi.tistory.com/entry/high-k-low-k Inductor 자기장 형성 꽈배기를 틀어버리기 때문에 in과 out은 다른 층에 형성 design 복잡함

Crystaline (정질) Poly-Crystaline 각 덩어리를 Grain이라고 한다. 이 구조에서 도핑 농도를 조절하여 반도체 내에서 저항을 형성한다. Amorphous (비정질)

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) MOS 구조를 활용한 FET 소자이다. Gate에 전압을 인가 → 채널형성 (즉, 스위치의 역할을 한다) Source/Drain에 전압을 인가 → 전계 형성 Source Drain Gate에 Bulk까지 4단자 소자라지만 굉장히 옛말이다. 현재는 구조가 바뀌었기 때문이다. (bulk가 왜 없어졌는지 왜 의미 없는지 작성 필요) bulk(body)는 일반적으로 source와 이어져 있다. 동작특성 VGS가 VT를 넘을 때 채널이 형성된다. VDS가 0V 보다 커지게 되면 전류가 흐르게 되면서 On 상태가 된다. 나머지 상황엔 다 Off 물론, 채널이 열린 상태로 drain에서 source로 흘려주어도 ..

Samsung V-NAND Technology

(전공정 모스펫 앞에 있는 부분 작성 예정)

BJT (Bipolar Juction Transistor) 공정 순서 (NPN) P-sub에 n도핑하여 콜렉터 단자 형성하고 p도핑하여 베이스 형성하고 n도핑하여 이미터 형성한다.

Schottky Ohmic 금속 + lightly doped 금속 + heavily doped PN juction과 비슷 낮은 저항 특별한 경우, 원치 않음 (저항을 높이기 때문)(장벽) 많이 쓰임 Rectifying (정류) , 차라리 PN junction을 씀(누설이 큼) Non - rectifying (V=IR) 진공준위 : 전자가 물질과 완전히 떼어짐 전자 친화도 : 진공준위 ~ 전도대 (금속은 없음) 일함수 : 진공준위 ~ 페르미 레벨 일반적으로 메탈의 일함수가 n-type Si의 일함수보다 크다. Si의 전자가 metal로 이동하면서 Fermi level이 align된다. 이에 따라 밴드들이 휘어진다. Schottky condtact Forward 메탈에서 실리콘으로 이동하는 전자는 일정하지만..