DRAM (Dynamic Random Access memory)

DRAM (Dynamic Random Access memory)

Dynamic : 시간 지나면 사라진다.(휘발성)

RAM : 원하는 위치에 접근할 수 있는 메모리 (행과 열이 있기 때문)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DRAM = Memory cell(1NMOS + 1 Capacitor) + Controller

 

Memory cell

데이터가 저장되는 곳

 

Controller

신호 처리 하는 곳

메모리셀 refresh 해주는 곳 (64ms 마다)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Memory cell = 1 NMOS + 1 Capacitor

NMOSFET : 스위치 역할, 전하 이동 통로 역할

Capacitor : 전하 저장되는 공간, 유지시키는 공간, NMOSFET 보다도 Capacitor 크기 감소가 주요함

 

 

 

 

Word Line

Gate에 연결, 스위치 역할

 

Bit Line

Source or Drain에 연결(반대쪽엔 Cap), 실제 데이터를 전송하는 역할

 

 

 

 

Writing 1

Word Line에 1 넣어서 전자 지나가는 채널 형성

Bit Line에 1 넣어서 Cap에 전하 축적, 전자를 다 뺌, Cap에 전자가 다 빠진다는 것이 신호 1이 들어갔다는 소리

 

 

Writing 0

Word Line에 1 넣어서 전자 지나가는 채널 형성

Bit Line에 0 넣어서 Cap 전하 빼줌, 전자 넣어줌, Cap에 전자가 들어간다는 것이 신호 0이 들어갔다는 소리

 

 

Reading

Capacitor에서 방출되는 전하를 읽어 1, 0 판정