에너지 밴드 다이어그램

파울리의 배타원리 (작성 필요)

 

 

 

 

Filled state(가전자대)

전자가 가득 차 있는 공간

전자가 이동해도 다른 전자가 바로 채우게 된다. → 전류X

Conduction band(Ec) 위쪽이다.

 

Empty state(전도대)

전자가 텅 빈 공간, 전자가 존재한다면 그 움직임이 곧 전류가 된다.

Valence band(Ev) 아래쪽이다.

최외각 전자 궤도

 

Energy bandgap

Ec와 Ev 사이의 간격

전자가 튀어나갈 수 있는 조건

 

 

 

 

도체 부도체 반도체

Bandgap이 크다 → 절연성 → Insulator(부도체)

Bandgap이 Overlap 되어있다. → 전도성 → Conductor(도체)

Bandgap을 제어할 만한 수준이다 → Semi-conductor(반도쳬)

 

 

여기에 도핑을 통해서 전자나 정공의 농도를 높여준다.(5족은 자유전자, 3족은 정공을 생성)

→ Eg를 낮춰 준다. (기존 Bandgap의 4~5% 수준)

→상온에서도 Exciting 가능

 

Dopant (도펀트)

도핑에 사용되는 불순물